2018/12/05

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TK10A60D场效应晶体管MOS管开关稳压器的应用

字号:T|T
文章出处:巴黎人娱乐平台 责任编辑:电源管理芯片人气:-发表时间:2018-11-28 09:59
  TK10A60D场效应晶体管MOS管参数:
  低漏极 - 源极导通电阻:RDS(ON)=0.62Ω(典型值)
  高正向传输导纳:| Yfs | = 6.0 S(典型值)
  低漏电流:IDSS =10μA(VDS = 600 V)
  增强模式:Vth = 2.0至4.0 V(VDS = 10 V,ID = 1 mA)
  TK10A60D绝对最大额定值:
 
  注意:在重负载下连续使用(例如高温/电流/电压的应用和温度的显着变化等)可能导致该产品的可靠性显着降低如果操作条件(即操作温度/电流/电压等)在绝对最大值内收视率.
  TK10A60D热特性:
  TK10A60D电气特性(Ta = = 25°C):
  TK10A60D源漏评级和特性(Ta = = 25°C)
  如果需要产品TK10A60D的详细手册或其他资料,请向我们申请。>>
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