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节省外围的PN8370M+PN8306M 5V2A六级能效充电ic方案

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文章出处:巴黎人娱乐平台 责任编辑:admin人气:-发表时间:2018-09-05 09:53
  PN8370M+PN8306M 5V2A六级能效充电方案,拥有外围极简、高可靠性、超低待机、高效率等优点,备受工程师们青睐。  
  PN8370M集成超低待机功耗准谐振原边控制器及高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。  
  PN8306M集成同步整流控制器及高雪崩能力MOSFET,用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管,提升转换效率,使得系统效率可以满足6级能效标准,并留有足够裕量。
  
  PN8370M+PN8306M方案亮点:  
  外围简洁(节省8颗元件):PN8370M节省2颗启动电阻;PN8306M独特控制技术可实现零外围工作,节省传统SR方案的供电RC滤波,SW侦测电阻,RT电阻,RC吸收等6颗元件。  
  高可靠性:a.方案三道防线,实现SR与PSR零直通风险;b.芯片HBM ESD大于4kV,latchup电流大于400mA,显著提高系统安规能力,接触静电高达15kV;c.PSR与SR匹配工作,彻底避免小载采样冲突,异常工况下,SR做好配角,PSR主导所有异常保护。  
  低待机功耗:PN8370M内置高压启动,可轻松实现50mW待机功耗。
  
  PN8370M+PN8306M应用Q&A :  
  Q1: PN8306M是否需要外并二极管提高稳定性?  
  A1:  PN8306M产品定位是做好PSR的配角,无需外并二极管  
  a. PN8306M的供电欠压保护点(2.8V)低于PN8370M的输出欠压保护点(3.1V),异常工况下,PN8370主导方案所有保护。  
  b. PN8306M内部自适应Ton,min,SR关断点滞后于PN8370M的原边采样点,彻底避免小载不稳定问题。
  
  Q2: PN8306M如何提高方案的安规能力?  
  A2:得益于以下独特设计,VCC脚外挂0.1uF去耦电容,系统静电能力可提高至接触15kV  
  a. PN8306M内部集成高雪崩能力MOSFET。  
  b. HBM ESD大于4kV,Latchup电流大于400mA,显著提高芯片抗异常电压/电流冲击能力。
  
  Q3: 方案如何避免PSR与SR直通问题?  
  A3: PN8370M+PN8306M以三道防线彻底解决直通问题  
  第一道:PN8306M基于面积法的防振铃误开通算法可有效避免SR被振铃干扰误开通。  
  第二道:PN8370M采用专利跳谷底开通算法,PSR开通点与SR振铃可能误开通点相位上错开180度,有效避免直通。  
  第三道: PN8370M内部的智能MOSFET上含有电流采样管,即使直通也可快速精准保护,避免电源损坏。
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