2018/12/05

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4803mos管-30V / -5A双P沟道高级功率MOSFET

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文章出处:巴黎人娱乐平台 责任编辑:admin人气:-发表时间:2018-07-25 10:07
  4803mos管描述:  
  PTS4803采用先进的沟槽技术提供具有低栅极电荷的出色RDS(ON)。该设备适合用作负载开关或PWM应用,针对电源管理进行了优化便携式产品的应用,例如H桥,变频器车载充电器及其他。
  
  4803MOSFET管特征:  
  •低R DS(on)@V GS = -5V  
  •5V逻辑电平控制  
  •双P沟道SOP8封装
  
  4803mos管绝对最大额定值:  
  超过最大额定值的应力可能会损坏设备。 最大额定值仅为压力等级。 功能操作如上不暗示推荐的操作条件。 长期暴露于高于推荐操作条件的应力可能影响设备可靠性。
  
  4803mos管典型特征:
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